| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1728790 Herst.-Nr.: NTHL082N65S3F EAN/GTIN: 5059042309058 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 313 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±30 V Breite = 4.82mm Höhe = 20.82mm
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Körperdiode von SuperFET III FRFET® MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 81 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 722 pF)Geringere SchaltverlusteAusgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in BrückenschaltungOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 70 mΩAnwendungsbereichTelekommunikationCloud-SystemIndustrieausführungStromversorgung TelekommunikationStromversorgung ServerEV-LadegerätSolar/UPS Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 82 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 313 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 4.82mm | Höhe: | 20.82mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, 1728790, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTHL082N65S3F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |