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| Artikel-Nr.:
3794E-1728980 Herst.-Nr.:
NTHL082N65S3F EAN/GTIN:
5059042312478 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 313 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.82mm
Höhe = 20.82mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 82 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 313 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 4.82mm | Höhe: | 20.82mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, 1728980, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTHL082N65S3F, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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