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| Artikel-Nr.:
3794E-1775369 Herst.-Nr.:
MKE38RK600DFELB EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = CoolMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 9
Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 5.5mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS CoolMOS™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | CoolMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 9 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 5.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, mosfet 50a, 1775369, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, MKE38RK600DFELB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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