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| Artikel-Nr.:
3794E-1776260 Herst.-Nr.:
R6520KNX EAN/GTIN:
5059045488019 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = R6520KNX
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 68 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.8mm
Höhe = 15.4mm
Der R6520KNX ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandExtrem schnelle SchaltgeschwindigkeitParallele Nutzung ist einfachPb-frei Beschichtung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | R6520KNX | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 68 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 4.8mm | Höhe: | 15.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 1776260, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6520KNX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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