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| Artikel-Nr.: 3794E-1779695 Herst.-Nr.: TP2540N8-G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 125 mA Drain-Source-Spannung max. = 400 V Serie = TP2540 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 30 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 1,6 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = 20 V Breite = 2.6mm Höhe = 1.6mm
Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Niedriger Schwellenwert (max. -2,4V) Hohe Eingangsimpedanz Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch) Schnelle Schaltgeschwindigkeiten Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedriger Eingangs- und Leckstrom Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 125 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Serie: | TP2540 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 30 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 2.6mm | Höhe: | 1.6mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1779695, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, TP2540N8G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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