Microchip TP2540 TP2540N8-G P-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 125 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 125 mA
Drain-Source-Spannung max. = 400 V
Serie = TP2540
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 30 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 2.6mm
Höhe = 1.6mm

Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.Niedriger Schwellenwert (max. -2,4V) Hohe Eingangsimpedanz Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch) Schnelle Schaltgeschwindigkeiten Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedriger Eingangs- und Leckstrom