| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1780863 Herst.-Nr.: IRF9640SPBF EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 500 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 3 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 9.65mm Höhe = 4.83mm
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 500 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 9.65mm | Höhe: | 4.83mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 1780863, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF9640SPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |