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| Artikel-Nr.:
3794E-1783851 Herst.-Nr.:
SQS966ENW-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045170327 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 27,8 W
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 1.07mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 60 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 27,8 W | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 1.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1783851, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SQS966ENWT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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