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| Artikel-Nr.:
3794E-1783920 Herst.-Nr.:
SiSS12DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045287742 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.4V
Verlustleistung max. = 65,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Breite = 3.15mm
Höhe = 1.07mm
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 65,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +20 V | Breite: | 3.15mm | Höhe: | 1.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1783920, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay Siliconix, SiSS12DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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