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onsemi NVMFS6H818NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 123 A 136 W, 5-Pin DFN
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
3794E-1784309
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
NVMFS6H818NT1G
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 123 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 136 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6.1mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.2V
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.Merkmale Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) Niedriger RDS (EIN) Niedrige QG und Kapazität NVMFS6H818NWF – Option mit benetzbaren Flanken PPAP-fähig Vorteile Kompaktes Design Minimiert Leitungsverluste Minimiert Treiberverluste Verbesserte optische Prüfung Anwendungen Schaltnetzteile Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) 48-V-Systeme Endprodukte Motorsteuerung DC/DC-Konverter Lastschalter
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
123 A
Drain-Source-Spannung max.:
80 V
Gehäusegröße:
DFN
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
5
Drain-Source-Widerstand max.:
3,7 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
136 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±20 V
Breite:
6.1mm
Diodendurchschlagsspannung:
1.2V
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
1784309
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
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onsemi
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NVMFS6H818NT1G
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Semiconductors
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Discrete Semiconductors
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MOSFETs
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