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| Artikel-Nr.: 3794E-1784760 Herst.-Nr.: 2N6045G EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 8 A Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Gleichstromverstärkung min. = 2500 Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4,5 V Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2 V Kollektor-Abschaltstrom max. = 20µA Höhe = 4.82mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gleichstromverstärkung min.: | 2500 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 4,5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 2 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 20µA | Höhe: | 4.82mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, onsemi transistor, 1784760, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, 2N6045G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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