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| Artikel-Nr.:
3794E-1787560 Herst.-Nr.:
MC1413BDR2G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 16
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip = 7
Gleichstromverstärkung min. = 1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,6 V
Höhe = 1.5mm
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 16 | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter | Anzahl der Elemente pro Chip: | 7 | Gleichstromverstärkung min.: | 1000 | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,6 V | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor Array, smd-transistor npn, smd transistor, transistor array on semiconductor, 1787560, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MC1413BDR2G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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