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| Artikel-Nr.:
3794E-1787610 Herst.-Nr.:
NTA7002NT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SC-75
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Breite = 0.9mm
Höhe = 0.8mm
N-Kanal-MOSFET mit Schottky-Diode, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 150 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SC-75 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Breite: | 0.9mm | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1787610, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTA7002NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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