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| Artikel-Nr.: 3794E-1807343 Herst.-Nr.: VS-HFA04SD60S-M3 EAN/GTIN: 5059045780656 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Sperrspannung max. = 600V Gehäusegröße = TO-252AA Pinanzahl = 3 + Tab Diodenkapazität max. = 8pF Betriebstemperatur min. = –55 °C Betriebstemperatur max. = +150 °C Länge = 6.73mm Breite = 6.22mm Höhe = 2.26mm Abmessungen = 6.73 x 6.22 x 2.26mm Verlustleistung = 10mW
Diese Dioden sind optimiert, um Verluste und elektromagnetische Störungen in Hochfrequenzsystemen für die Leistungsverarbeitung zu verringern. Die Weichheit der Wiederherstellung macht in den meisten Anwendungen eine Stoßbremse überflüssig. Diese Geräte eignen sich ideal für Freilauf-, Flyback-, Stromrichter-, Motorantriebe und andere Anwendungen, bei denen hohe Drehzahlen und reduzierte Schaltverluste gefordert sind.Ultraschnelle Erholungszeit Ultraweiche Erholung Sehr niedriger IRRM ANWENDUNGEN: Diese Dioden sind optimiert, um Verluste und elektromagnetische Störungen in Hochfrequenzsystemen für die Leistungsverarbeitung zu verringern. Die Weichheit der Wiederherstellung macht in den meisten Anwendungen eine Stoßbremse überflüssig. Diese Geräte eignen sich ideal für Freilauf-, Flyback-, Stromrichter-, Motorantriebe und andere Anwendungen, bei denen hohe Drehzahlen und reduzierte Schaltverluste gefordert sind. Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 600V | Gehäusegröße: | TO-252AA | Pinanzahl: | 3 + Tab | Diodenkapazität max.: | 8pF | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 6.73mm | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.26mm | Abmessungen: | 6.73 x 6.22 x 2.26mm | Verlustleistung: | 10mW |
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| Weitere Suchbegriffe: 1807343, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Vishay, VSHFA04SD60SM3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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