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Vishay TrenchFET SQ2389ES-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 4,1 A, 3-Pin SOT-23

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Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
3794E-1807401

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SQ2389ES-T1_GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,188 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	P
Dauer-Drainstrom max.:	4,1 A
Drain-Source-Spannung max.:	40 V
Serie:	TrenchFET
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	0,188 O
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1807401, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2389EST1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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