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Vishay TrenchFET SI2308BDS-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,1 A, 3-Pin SOT-23


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Vishay TrenchFET SI2308BDS-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,1 A, 3-Pin SOT-23
Artikel-Nr.:
     3794E-1807752
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2308BDS-T1-E3
EAN/GTIN:
     5059045798019
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,192 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
2,1 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,192 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1807752, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2308BDST1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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