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| Artikel-Nr.: 3794E-1807778 Herst.-Nr.: SI2347DS-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059045814924 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,042 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,042 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1807778, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2347DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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