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Vishay TrenchFET SI2347DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Vishay TrenchFET SI2347DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A, 3-Pin TO-236
Artikel-Nr.:
     3794E-1807778
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2347DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059045814924
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,042 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
5 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,042 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 1807778, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2347DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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