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| Artikel-Nr.:
3794E-1807911 Herst.-Nr.:
SI3585CDV-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045815365 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 3.9 A, 2.1 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0.058 O,0.195 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 3.9 A, 2.1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0.058 O,0.195 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1807911, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI3585CDVT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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