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| Artikel-Nr.:
3794E-1807932 Herst.-Nr.:
SI8483DB-T2-E1 EAN/GTIN:
5059045794776 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 16 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,026 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 16 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,026 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.8V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1807932, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI8483DBT2E1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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