| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1807948 Herst.-Nr.: SI4447ADY-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059045791454 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 7,2 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,062 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 7,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,062 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1807948, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4447ADYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |