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| Artikel-Nr.: 3794E-1808002 Herst.-Nr.: SI4900DY-T1-E3 EAN/GTIN: 5059045796305 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = TrenchFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,072 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,072 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1808002, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4900DYT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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