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Vishay TrenchFET SI4204DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 19,8 A, 8-Pin SO-8


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Vishay TrenchFET SI4204DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 19,8 A, 8-Pin SO-8
Artikel-Nr.:
     3794E-1808014
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4204DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059045780113
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,006 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
19,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,006 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: 1808014, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4204DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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