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| Artikel-Nr.:
3794E-1811857 Herst.-Nr.:
FDMS86181 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 124 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PQFN8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 12 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des modernen PowerTrench-Verfahrens mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie Max rDS(on) = 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 44 A Max rDS(on) = 12 mΩ bei VGS = 6 V, ID = 22 A ADD 50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten Niedriges Schaltgeräusch/EMI Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 124 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | PQFN8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 1811857, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS86181, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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