|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1811862 Herst.-Nr.:
FDPF4D5N10C EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 128 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220F
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 37,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 128 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220F | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 37,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.3V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1811862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDPF4D5N10C, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |