onsemi FDP8D5N10C N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 76 A 107 W, 3-Pin TO-220

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 76 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 107 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 4.67mm
Höhe = 15.21mm

Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.Max RDS(on) = 8,5 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 76 A Leistungsdichte und geschirmtes Gate Leistungsdichte und geschirmtes Gate Hohe Effizienz / Hohe Leistung Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(on) Hohe Leistungsdichte durch geschirmte Gate-Technologie Extrem geringe Rückwärts-Rückgewinnungsladung, Qrr Integriertes Spannungsschutzelement mit niedrigem Vds-Spike Niedrige Gate-Ladung, QG = 25 nC (typ.) Geringe Schaltverluste Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit Niedrige Qrr/Trr Soft-Recovery-Leistung Synchrongleichrichtung für ATX / Server / Workstation / Telekommunikationsnetzteil / Adapter und Industrienetzgeräte. Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen Micro Solar-Wechselrichter Server Telekom Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrienetzgeräte usw.) Motorantrieb Unterbrechungsfreie Stromversorgung Solarwechselrichter