Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin

Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 1M
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.51 x 10.26 x 1.05mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 V
Breite = 10.26mm

Die Modelle CY7C1061G und CY7C1061GE sind Hochleistungs-CMOS-SRAM-Geräte mit eingebettetem ECC. Für beide Geräte sind Ausführungen für einzelne und doppelte Chips und in verschieden Stiftkonfigurationen erhältlich. Das Gerät CY7C1061GE enthält einen ERR-Stift, der im Lesezyklus ein Ereignis für die 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur signalisiert.Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns / 15 ns Eingebetteter Fehlerkorrekturcode (ECC) für 1-Bit-Fehler korrektur [1, 2] Niedriger Wirk- und Standby-Strom ICC = 90 mA (typisch) bei 100 MHz ISB2 = 20 mA (typisch) Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V 1,0 V Datenspeicherung Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL) Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an Erhältlich in bleifreien 48-poligen TSOP-I-Gehäusen, 54-poligen TSOP-II-Gehäusen sowie den VFBGA-Gehäusen mit 48 Kugeln