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Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V bis 2,6 V, SOIC 16-Pin
Menge:
Packung
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
3794E-1818270
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
CY14B101PA-SFXI
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
S-RAM Support-IC
SRAM
1mbit sram
s-ram support-ic
Speicher Größe = 1MBit
Organisation = 128.000 x 8 Bit
Anzahl der Wörter = 128k
Anzahl der Bits pro Wort = 8bit
Zugriffszeit max. = 15ns
Taktfrequenz = 104MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Synchron
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOIC
Pinanzahl = 16
Abmessungen = 10.49 x 7.59 x 2.36mm
Arbeitsspannnung max. = 2,6 V
Betriebstemperatur max. = +85 °C
Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.
Weitere Informationen:
Speicher Größe:
1MBit
Organisation:
128.000 x 8 Bit
Anzahl der Wörter:
128k
Anzahl der Bits pro Wort:
8bit
Zugriffszeit max.:
15ns
Taktfrequenz:
104MHz
Low Power:
Ja
Timing Typ:
Synchron
Montage-Typ:
SMD
Gehäusegröße:
SOIC
Pinanzahl:
16
Abmessungen:
10.49 x 7.59 x 2.36mm
Arbeitsspannnung max.:
2,6 V
Betriebstemperatur max.:
+85 °C
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Halbleiter
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Speicherbausteine
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SRAM
Weitere Suchbegriffe:
1818270
,
Halbleiter
,
Speicherbausteine
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Infineon
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CY14B101PASFXI
,
Semiconductors
,
Memory Chips
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CHF 396.4004*
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