Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ 44-Pin

Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 256 k x 16 Bit
Anzahl der Wörter = 256k
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOJ
Pinanzahl = 44
Abmessungen = 1.13 x 0.405 x 0.11Zoll
Höhe = 2.79mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C

Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns / 15 ns Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2] Niedriger Wirk- und Standby-Strom Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch) Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch) Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V 1,0-V-Datenspeicherung TTL-kompatible Ein- und Ausgänge Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse