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| Artikel-Nr.:
3794E-1826907 Herst.-Nr.:
DMP2021UTS-13 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 7,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSSOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.35V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±10 V
Breite = 3.1mm
Höhe = 1.02mm
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Niedrige Gate-Schwellenspannung Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand ESD-geschütztes Gate Anwendungen Batterieüberwachungsanwendungen Stromüberwachungsfunktionen DC/DC-Wandler Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 7,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSSOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.35V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±10 V | Breite: | 3.1mm | Höhe: | 1.02mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1826907, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMP2021UTS13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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