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| Artikel-Nr.:
3794E-1827125 Herst.-Nr.:
DMN2058UW-7 EAN/GTIN:
5059045318149 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 91 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 1,13 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1mm
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. Anwendungen Motorsteuerung Stromüberwachungsfunktionen Hinterleuchtung. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 91 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 1,13 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±12 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1827125, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2058UW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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