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| Artikel-Nr.: 3794E-1831555 Herst.-Nr.: PTVS10-086C-M EAN/GTIN: 5059045198529 |
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![](/p.gif) | Diodenkonfiguration = Einfach Klemmenspannung max. = 157V Durchschlagspannung min. = 96V Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SMD Stand-Off Sperrspannung max. = 86V Pinanzahl = 2 Impulsspitzen-Strom max. = 10kA Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = –55 °C Abmessungen = 16.05 x 14.6 x 7.24mm Höhe = 7.24mm
Die bidirektionale Starkstrom-TVS-Diode Modell PTVS10-086C-M von Bourns® wurde für den Einsatz in DC-Bus-Klemmanwendungen entwickelt.10 kA, 8/20 μs Stoßspannungsfestigkeit 1 kA, 10/350 μs Stoßspannungsfestigkeit Niedrige Klemmspannung unter Überspannung Bidirektionaler TVS SMD-Gehäuse Anwendungen Hochleistungs-DC-Schutz Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Diodenkonfiguration: | Einfach | Klemmenspannung max.: | 157V | Durchschlagspannung min.: | 96V | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SMD | Stand-Off Sperrspannung max.: | 86V | Pinanzahl: | 2 | Impulsspitzen-Strom max.: | 10kA | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Abmessungen: | 16.05 x 14.6 x 7.24mm | Höhe: | 7.24mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: suppressordiode bidirektional, smd diode, 1831555, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Suppressordioden TVS, Bourns, PTVS10086CM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, TVS Diodes |
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