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| Artikel-Nr.:
3794E-1840993 Herst.-Nr.:
MMBD6050LT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Sperrspannung max. = 70V
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Diodenkapazität max. = 2.5pF
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Länge = 3.04mm
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.01mm
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Verlustleistung = 300mW
Die Schaltdiode ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen ausgelegt. Dieses Gerät befindet sich in einem SOT-23-SMD-Gehäuse, das sich ideal für das automatisierte Einsetzen eignet.Extrem niedrige Minoritäts-Trägerlebensdauer Sehr niedrige Kapazität Niedriger Rückwärtsleckstrom Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 70V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Diodenkapazität max.: | 2.5pF | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 3.04mm | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.01mm | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | Verlustleistung: | 300mW |
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| Weitere Suchbegriffe: 1840993, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, MMBD6050LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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