| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1840993 Herst.-Nr.: MMBD6050LT1G EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Diodenkonfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Sperrspannung max. = 70V Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3 Diodenkapazität max. = 2.5pF Betriebstemperatur min. = –55 °C Betriebstemperatur max. = +150 °C Länge = 3.04mm Breite = 1.4mm Höhe = 1.01mm Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm Verlustleistung = 300mW
Die Schaltdiode ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen ausgelegt. Dieses Gerät befindet sich in einem SOT-23-SMD-Gehäuse, das sich ideal für das automatisierte Einsetzen eignet.Extrem niedrige Minoritäts-Trägerlebensdauer Sehr niedrige Kapazität Niedriger Rückwärtsleckstrom Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 70V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Diodenkapazität max.: | 2.5pF | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 3.04mm | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.01mm | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | Verlustleistung: | 300mW |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1840993, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, MMBD6050LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
| | |
| |