| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1841002 Herst.-Nr.: MMBT3904WT1G EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 200 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 150 mW Gleichstromverstärkung min. = 100 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V Basis-Emitter Spannung max. = 6 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Der bipolare NPN-Transistor wurde für allgemeine Verstärkeranwendungen entwickelt. Er befindet sich im SOT-323/SC-70, der für SMD-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme entwickelt wurde.Niedriger rDS(on) sorgt für höhere Effizienz und verlängert die Batterielebensdauer Das SMD-Miniaturgehäuse SC-70/SOT-323 spart Platinenplatz Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 200 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1841002, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT3904WT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |