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| Artikel-Nr.:
3794E-1844650 Herst.-Nr.:
BCX19LT1G EAN/GTIN:
5059045358176 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 500 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 100
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 1.3 x 1.01mm
Der Bipolartransistor NPN ist für den Einsatz in Linear- und Schaltanwendungen konzipiert. Das Gerät befindet sich im Gehäuse SOT-23, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme ausgelegt ist.S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 500 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 45 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 1.3 x 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1844650, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BCX19LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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