| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1844965 Herst.-Nr.: BAS21LT1G EAN/GTIN: 5059045340560 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Diodenkonfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Sperrspannung max. = 250V Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3 Diodenkapazität max. = 5pF Betriebstemperatur min. = –55 °C Betriebstemperatur max. = +150 °C Länge = 3.04mm Breite = 1.4mm Höhe = 1.01mm Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm Verlustleistung = 385mW
Die Hochspannungs-Schaltdiode ist für Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen ausgelegt. Dieses Doppeldiodengerät enthält zwei galvanisch getrennte Hochspannungsschaltdioden, die in einem SOT-23-SMD-Gehäuse gekapselt sind.S Prefixes für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 250V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Diodenkapazität max.: | 5pF | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 3.04mm | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1.01mm | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | Verlustleistung: | 385mW |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1844965, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, BAS21LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |