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| Artikel-Nr.: 3794E-1845013 Herst.-Nr.: MBRM120LT1G EAN/GTIN: 5059045237983 |
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| Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = GEHÄUSE 457 Dauer-Durchlassstrom max. = 1A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 20V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = Schottky Pinanzahl = 2 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = Schottky Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 50A
Flaches Profil - maximale Höhe von 1,1 mm Kleine Abmessungen - Stellfläche von 8,45 mm2 Niedriger VF bietet höhere Effizienz und verlängert die Batterielebensdauer Lieferung in 12-mm-Band und Rolle Niedriger Wärmewiderstand mit direktem thermischem Pfad der Matrize auf freiliegendem Kathodenkühlkörper Mechanische Eigenschaften: Gehäuse: Geformtes Epoxidharz Gewicht: Ca. 62 mg Gerätemarkierung: BCF Leiter- und Montageoberflächentemperatur für Lötzwecke. 260 °C max. Für 10 Sekunden Alle Pakete sind bleifrei PPAP-fähig NRVB-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | GEHÄUSE 457 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 1A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 20V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 50A |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 1845013, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, MBRM120LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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