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| Artikel-Nr.:
3794E-1861286 Herst.-Nr.:
NVMTS0D4N04CLTXG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 553,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DFNW8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 640 μΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 244 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 8mm
Höhe = 1.15mm
MOSFET für die Automobilindustrie in einem flachen 8 x 8 mm-Kabelpaket, das für kompakte und effiziente Designs einschließlich hoher thermischer Leistung entwickelt wurde. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.Geringer Platzbedarf (8 x 8 mm) Niedriger RDS (EIN) Niedrige QG und Kapazität Option mit benetzbaren Flanken PPAP-fähig Kompaktes Design Minimiert Leitungsverluste Minimiert Treiberverluste Verbesserte optische Prüfung Anwendungen Batterieverpolungsschutz Schaltnetzteile Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) Endprodukte Motorsteuerung - EPS, Wischer, Lüfter, Sitze usw. Lastschalter - ECU, Chassis, Karosserie Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 553,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DFNW8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 640 μΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 244 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 8mm | Höhe: | 1.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1861286, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMTS0D4N04CLTXG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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