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| Artikel-Nr.: 3794E-1867192 Herst.-Nr.: NSBC114EDXV6T1G EAN/GTIN: k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-563 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 500 mW Transistor-Konfiguration = Dual Pinanzahl = 6 Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Eingangswiderstand typ. = 10 kΩ
Diese Serie digitaler Transistoren ersetzt ein einzelnes Gerät und sein externes Widerstandsvorspannungsnetz. Der Bias Resistor Transistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Bias-Netzwerk, bestehend aus zwei Widerständen, einem seriellen Basiswiderstand und einem Basisemitter-Widerstand. Die BRT eliminiert diese Einzelkomponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Durch den Einsatz eines BRT können sowohl die Systemkosten als auch der Platinenplatz reduziert werden.Vereinfacht das Schaltungsdesign Reduziert den Plattenplatz Reduziert die Anzahl der Komponenten S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern, PPAP-fähig Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Dual | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Eingangswiderstand typ.: | 10 kΩ |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 1867192, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NSBC114EDXV6T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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