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| Artikel-Nr.:
3794E-1867353 Herst.-Nr.:
BD241CG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
Kollektor-Emitter-Spannung = 115 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 40 W
Gleichstromverstärkung min. = 2.5
Transistor-Konfiguration = Einfach
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V dc
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.53 x 4.83 x 9.28mm
Der 3 A, 100 V PNP Bipolartransistor für den Einsatz in allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen. BD241C (NPN), BD242B (PNP) und BD242C (PNP) sind ergänzende Geräte.Collector-Emitter-Sättigungsspannung - VCE = 1,2 Vdc (max.) bei IC = 3,0 Adc Haltespannung des Kollektor-Emitters - VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) BD242B = 100 Vdc (min.) BD241C, BD242C Hohe Stromverstärkung - Bandbreite ProductfT = 3,0 MHz (min.) bei IC = 500 mADC Kompaktes TO-220 AB-Paket Bleifreie Gehäuse sind verfügbar Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Kollektor-Emitter-Spannung: | 115 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 40 W | Gleichstromverstärkung min.: | 2.5 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V dc | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.53 x 4.83 x 9.28mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ic verstärker, onsemi transistor, 1867353, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BD241CG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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