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| Artikel-Nr.:
3794E-1867383 Herst.-Nr.:
FDMA430NZ EAN/GTIN:
k.A. |
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| Gehäusegröße = MicroFET 2 x 2
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2,4 W
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Dieser Einkanal-MOSFET wurde mit einem Advanced Power Trench Prozess entwickelt, um den RDS(on) @VGS=2,5V auf einem speziellen MicroFET-Ableitungsrahmen zu optimieren.RDS(ein) = 40 mΩ @ VGS = 4,5 V, ID = 5,0 A RDS(on) = 50 mΩ @ VGS = 2,5 V, ID = 4,5 A Low Profile - 0,8mm Maximum - im neuen PackageMicroFET 2x2 mm HBM ESD-Schutzstufe> 2,5k V typisch (Hinweis 3) Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden Anwendungen Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: | | Gehäusegröße: | MicroFET 2 x 2 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2,4 W | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1867383, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, FDMA430NZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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