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| Artikel-Nr.:
3794E-1869653 Herst.-Nr.:
MMBZ16VALT1G EAN/GTIN:
5059045828341 |
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| Diodenkonfiguration = Gemeinsame Anode
Klemmenspannung max. = 23V
Durchschlagspannung min. = 15.2V
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = SOT-23
Pinanzahl = 3
Höchstzulässige Pulsverlustleistung = 40W
Impulsspitzen-Strom max. = 1.7A
ESD Schutz = Ja
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Automobilstandard = AEC-Q101
Das SOT-23-Gehäuse ermöglicht entweder zwei separate unidirektionale Konfigurationen oder eine einzelne bidirektionale Konfiguration Arbeitsspitze, Spannungsbereich für Rückwärtsfahrt - 13 V Standard Zener-Spannungsbereich - 15,2 - 16,8 V Peak Power - 40 Watts bei 1,0 ms (unidirektional) ESD-Klasse N (über 16 kV) gemäß dem menschlichen Körpermodell Geringe Leckage< 5,0 μ A Gehäuse: Vakuumfreies, umspritzgegossenes, duroplastierendes Kunststoffgehäuse Oberfläche: Korrosionsbeständige Oberfläche, leicht lötbar Maximale CASE-TEMPERATUR FÜR LÖSUNGSZWECKE: 260 °C für 10 Sekunden Maximale Spannspannung bei Peak Pulse Current Das Paket wurde für eine optimale automatisierte Platinenmontage entwickelt Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte Erhältlich in 8-mm-Band und -Rolle PPAP-fähig SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die besondere Anforderungen an Standort- und Kontrolländerungen erfordern Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Gemeinsame Anode | Klemmenspannung max.: | 23V | Durchschlagspannung min.: | 15.2V | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Höchstzulässige Pulsverlustleistung: | 40W | Impulsspitzen-Strom max.: | 1.7A | ESD Schutz: | Ja | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: 1869653, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Suppressordioden TVS, onsemi, MMBZ16VALT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, TVS Diodes |
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