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| Artikel-Nr.: 3794E-1884886 Herst.-Nr.: SIS126DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45,1 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 12,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 52 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Gate-Ladung typ. @ Vgs = 21,1 nC @ 10 V Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 52 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 21,1 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1884886, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIS126DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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