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Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 25 A 28 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH

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Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-1884898

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SiSHA12ADN-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8SH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 28 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C

N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	25 A
Drain-Source-Spannung max.:	30 V
Gehäusegröße:	PowerPAK 1212-8SH
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	6 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.:	1.1V
Verlustleistung max.:	28 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	–16 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Betriebstemperatur min.:	–55 °C

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1884898, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiSHA12ADNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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