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| Artikel-Nr.:
3794E-1885078 Herst.-Nr.:
SiRA84BDP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045827320 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 7,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 36 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Breite = 5mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 70 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,1 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 36 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +20 V | Breite: | 5mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885078, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiRA84BDPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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