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| Artikel-Nr.:
3794E-1885094 Herst.-Nr.:
SISS60DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045824114 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 181,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2,01 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 65,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +16 V
Breite = 3.3mm
Diodendurchschlagsspannung = 0.68V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 181,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8S | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,01 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 65,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +16 V | Breite: | 3.3mm | Diodendurchschlagsspannung: | 0.68V |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885094, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISS60DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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