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| Artikel-Nr.:
3794E-1885101 Herst.-Nr.:
SQJ208EP-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059045839613 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A, 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2)
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Dual
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0067 Ω (Kanal 2), 0,016 Ω (Kanal 1)
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V
Verlustleistung max. = 27 W, 48 W
Transistor-Konfiguration = Dual
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Automobilstandard = AEC-Q101
Zweifach-N-Kanal-MOSFETs für die Automobilindustrie, 40 V (D-S), 175 °C.TrenchFET® Leistungs-MOSFET Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A, 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V (Kanal 1), 40 V (Kanal 2) | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8L Dual | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0067 Ω (Kanal 2), 0,016 Ω (Kanal 1) | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V | Verlustleistung max.: | 27 W, 48 W | Transistor-Konfiguration: | Dual | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 1885101, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ208EPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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