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| Artikel-Nr.:
3794E-1885134 Herst.-Nr.:
SIS126DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059045740520 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 12,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 52 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 3.15mm
Höhe = 1.07mm
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM) Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 45,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 52 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.15mm | Höhe: | 1.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1885134, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIS126DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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