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| Artikel-Nr.:
3794E-1888295 Herst.-Nr.:
STP6N95K5 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,25 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.6mm
Höhe = 15.75mm
Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden mit der MDmesh ® K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine Produktstatusverbindung erfordern, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordert.Weltweit beste FOM (Leistungszahl) Extrem niedrige Gate-Ladung Zenerdioden-geschützt Anwendungen Schaltanwendungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,25 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 90 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 4.6mm | Höhe: | 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, to-220 mosfet, 1888295, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP6N95K5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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