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| Artikel-Nr.:
3794E-1907681 Herst.-Nr.:
SM6T56CA EAN/GTIN:
5059045608035 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Verlustleistung max. = 600 W
Gehäusegröße = DO-214AA (SMB)
Zenertyp = Bidirektional
Pinanzahl = 2
Rest-Sperrstrom max. = 200nA
Abmessungen = 3.95 x 2.25 x 4.6mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Die Serie SM6T Transil wurde entwickelt, um empfindliche Geräte vor elektrostatischen Entladungen und elektrischen Überspannungen zu schützen. Diese Geräte werden im Allgemeinen gegen Überspannungen unter 600 W (10/1000 μs) verwendet. Die Planar-Technologie macht sie für High-End-Geräte und SMPS geeignet, bei denen ein niedriger Leckstrom und eine hohe Sperrschichttemperatur erforderlich sind, um Zuverlässigkeit und Stabilität im Laufe der Zeit zu gewährleisten. SM6T sind in SMB verpackt.Peak Impulsleistung: 600 W (10/1000 μs) 4 kW (8/20 μs) Stand-off-Spannungsbereich: Von 6,8 V bis 220 V Unidirektionale und bidirektionale Typen Geringer Leckstrom: 0,2 μA bei 25 °C 1 μA bei 85 °C. Tj Betrieb max. 150 °C. Hohe Leistungskapazität bei Tj max.: 515 W (10/1000 μs) Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Verlustleistung max.: | 600 W | Gehäusegröße: | DO-214AA (SMB) | Zenertyp: | Bidirektional | Pinanzahl: | 2 | Rest-Sperrstrom max.: | 200nA | Abmessungen: | 3.95 x 2.25 x 4.6mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1907681, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Zener Dioden, STMicroelectronics, SM6T56CA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Zener Diodes |
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