Wolfspeed C3M0075120D N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 30 A 113,6 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.7V
Verlustleistung max. = 113,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -8 V, 19 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 21.1mm

Wolfspeed erweitert seine Führungsposition in der SiC-Technologie durch die Einführung der Advanced SiC MOSFET-Technologie. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten, dreistufigen Topologien zu einfacheren zweistufigen Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich sind. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit einer geringen Gate-Ladung und ist daher ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie Wechselrichter- und Ladeanwendungen geeignet. Laden Sie unsere LSpice-Modelle herunter, um get started zu werden, oder klicken Sie hier, um weitere Informationen zu erhalten.Mindestens 1200 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein) Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben