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| Artikel-Nr.:
3794E-1923386 Herst.-Nr.:
CAB450M12XM3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Drain-Source-Widerstand max. = 4,6 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. = 3.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 50 mW
Gate-Source Spannung max. = -4 V, 19 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 15.75mm
Hohe Leistungsdichte Betrieb bei hohen Temperaturen (175 °C) Geringe Induktivität (6,7 nH) Implementiert leitungsoptimierte 3. Generation MOSFET-Technologie Terminal Layout vereinfacht die Busleistenkonstruktion Integrierte Temperaturerfassung Dedizierter Drain-Kelvin-Stift Silizium-Nitrid-Isolator und Kupfergrundplatte Anwendungen Motor- und Traktionsantriebe UPS EV-Ladegeräte Weitere Informationen: | | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,6 mΩ | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.6V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 50 mW | Gate-Source Spannung max.: | -4 V, 19 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 15.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1923386, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, CAB450M12XM3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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